TRANSISTOR MOSFET K6A65D (45W)

Encapsulado TO-220-3
Polaridad del transistor N-Channel
Número de canales 1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente 650V
Id - Corriente de drenaje continua 6A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente 1.11 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente- 30V, + 30V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente 2V
Qg - Carga de puerta 20nC
Temperatura de trabajo mínima -55C
Temperatura de trabajo máxima +150C
Dp - Disipación de potencia 45W